一种循环化学气相沉积高纯钽的制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202210288168.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114561628A | 公开（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申请公布号 | CN114561628A | 申请公布日 | 2022-05-31 |
| 分类号 | C23C16/01（2006.01）I;C23C16/14（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;C22B34/24（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 谭成文;于晓东;刘丽君;李迅 | 申请（专利权）人 | 海朴精密材料（苏州）有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215212江苏省苏州市吴江区黎里镇临沪大道北侧1508号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种循环化学气相沉积高纯钽的制备方法及其应用，所述制备方法包括：以纯度≥99.95％的TaF5为原料，高纯H2为还原气体，采用循环化学气相沉积在基体上沉积钽，经去除基体，得到高纯钽；循环化学气相沉积包括采用至少三套蒸发冷凝一体化装置进行循环气相沉积，TaF5蒸发室温度为100℃～200℃，TaF5和H2的摩尔比为0.01～0.3，沉积温度为800～1400℃，TaF5摩尔分数为0.01～0.5。本发明方法能够使化学气相沉积过程中高价值的TaF5原料利用率达95％以上，且制备的高纯钽的纯度6N以上，致密度高且沿生长方向微观组织均匀，而且能源利用率高，在半导体制造领域有着广泛的应用前景。 |
