一种高强度钕铁硼磁体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911320487.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111128503B | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN111128503B | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I;H01F41/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 查善顺;刘友好;曹玉杰;黄秀莲;陈静武;衣晓飞;熊永飞 | 申请（专利权）人 | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 合肥天明专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张梦媚 |
| 地址 | 231500安徽省合肥市庐江县经济开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高强度钕铁硼磁体及其制备方法，其以钕铁硼磁体作为母材基体，在所述钕铁硼磁体的表面设有金属镀层，所述金属镀层包括至少一层金属单质镀层，其特征在于，所述金属镀层上还设有石墨烯薄膜层。本发明在钕铁硼磁体常规金属镀层表面制得石墨烯薄膜，由于石墨烯的高强度特性，使得磁体表面具有极高的强度，同时网状结构的石墨烯薄膜能够减小金属镀层的脱落，从而获得高强度和高稳定性的钕铁硼磁体。 |
