一种分子束外延源料冷却方法
基本信息
| 申请号 | CN202011311954.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112538654B | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN112538654B | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | C30B23/06;C23C14/54;C23C14/24 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杜鹏;龚欣;陈长平;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍 | 申请（专利权）人 | 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐好 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种分子束外延源料冷却方法，包括步骤：分子束外延工艺结束后，坩埚托架带动坩埚缓慢下降移出高温区间，使坩埚中的源料自下而上逐渐凝固，直至坩埚中的源料全部凝固。本发明具有操作简便，可在普通热蒸发源的基础上实现大容量、大束流、高可靠性的源料蒸发与冷却等优点。 |
