一种分子束外延源料原位预处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202011311933.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112410732A | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN112410732A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 杜鹏;龚欣;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 | 申请（专利权）人 | 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐好 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种分子束外延源料原位预处理方法，包括步骤：S1、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚，将源料装入坩埚并盖上坩埚盖，将坩埚放回至坩埚托架上，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空度后，打开闸阀，坩埚移动至工艺位置；S2、加热器对坩埚下部进行加热；S3、加热器对坩埚上部进行加热；S4、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚盖，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空度后，打开闸阀，坩埚移动至工艺位置。本发明具有操作简便、效率高，预处理后的料锭质地紧密，与坩埚形状相同，可显著提高蒸发束流的稳定性等优点。 |
