一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备
基本信息
| 申请号 | CN202110683800.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113463189A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113463189A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C30B23/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杜鹏;龚欣;付宏伟;魏唯;陈峰武;肖慧;宁澍;陈长平 | 申请（专利权）人 | 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人 | 焉明涛 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备，包括腔室，源炉，第一快门和第二快门；源炉的炉口朝向腔室内设置，第一快门和第二快门向腔室内延伸，且第一快门和第二快门至少部分露出于腔室外壁；通过在腔室外操作第一快门，可将第一快门调整至完全遮挡源炉的蒸发路径的第一位置或者完全离开蒸发路径的第二位置；通过在腔室外操作第二快门，可将第二快门调整至覆盖源炉3炉口正上方的第三位置或者靠近源炉3炉口加热器的第四位置。根据本公开的双快门源炉系统能够保护源炉内的源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性。 |
