一种三状态分子束外延用束源炉快门
基本信息
| 申请号 | CN202011453051.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112746318A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112746318A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | C30B23/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杜鹏;龚欣;付宏伟;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 | 申请（专利权）人 | 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐好 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种三状态分子束外延用束源炉快门，在具备束流开启与束流关断两种状态的基础上，新增第三种束源炉保护状态，处于束源炉保护状态的快门可以有效阻挡冷屏内壁上吸附的材料碎片掉落入束源炉中，具有可以保护束源炉内源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性、降低设备维护时间、提高设备生产效率等优点。 |
