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一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器

基本信息

申请号 CN201420431870.X 申请日 -
公开（公告）号 CN204189620U 公开（公告）日 2015-03-04
申请公布号 CN204189620U 申请公布日 2015-03-04
分类号 H01G4/005(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李仲良;石宝宏;朱承标 申请（专利权）人 南京天正容光达电子（集团）有限公司
代理机构 南京众联专利代理有限公司 代理人 南京天正容光达电子（集团）有限公司
地址 211103 江苏省南京市江宁区秣陵街道天册路6号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其包括有电容芯子，以及分别设置在电容芯子两端的电极；所述电容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面与右端面之间延伸的侧端面，其中，电容芯子的左端面与右端面均在竖直方向上进行延伸，左端面与右端面的面积大于电容芯子侧端面在竖直方向上的投影面积；所述电极分别设置在电容芯子中的左端面与右端面之上；所述电极所在侧端面上设置有喷金层；采用上述技术方案的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其通过改进电容芯子的结构，以及其与电极的连接方式，使得电容的等效串联电阻得以减小，从而使得电容的交流有效值电流增大，进而使得电容的电流承载能力得以显著提高。