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一种超宽带渐变温补分布式微波功率放大芯片

基本信息

申请号 CN202110360220.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112953413A 公开（公告）日 2021-06-11
申请公布号 CN112953413A 申请公布日 2021-06-11
分类号 H03F1/42;H03F3/189;H03F3/20;H03F1/30 分类 基本电子电路;
发明人 王向东;邵洋洲;刁睿 申请（专利权）人 成都浩瀚芯光微电子科技有限公司
代理机构 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 代理人 许志辉
地址 610000 四川省成都市成华区东虹路66号8号楼1楼1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种超宽带渐变温补分布式微波功率放大芯片，属于微波射频芯片领域。本发明包括共源共栅放大结构、输入人工传输线和输出人工传输线，共源共栅放大结构包括若干级结构相同的共源共栅放大网络，每级共源共栅放大网络输入端均与输入人工传输线连接，每级共源共栅放大网络输出端均与输出人工传输线连接，每级共源共栅放大网络均包括共源共栅放大单元、RC稳定单元、第一栅极电压温补分压单元、栅极到地单元、第二栅极电压温补分压单元、匹配电容和第一偏置电阻。通过逐级尺寸变小的晶体管和独立匹配的人工传输线，扩展了高频增益和功率带宽，利用不同温度系数的电阻特性，实现了对晶体管栅极电压的温度补偿。