一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法
基本信息
| 申请号 | CN201310099861.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103194725B | 公开（公告）日 | 2015-04-01 |
| 申请公布号 | CN103194725B | 申请公布日 | 2015-04-01 |
| 分类号 | C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 万能;刘楚山;刘海滨 | 申请（专利权）人 | 孝感市瑞晟机电制造有限公司 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 李媛媛 |
| 地址 | 432100 湖北省孝感市三汊镇张湾工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种利用电子束蒸发制备双晶体氧化铟锡纳米线的方法。主要使用铟、锡比例为95:5的氧化铟锡颗粒为原料，硅片、铝箔或载玻片为衬底，用电子束蒸发的方法制备双晶氧化铟锡纳米线，在特定的参数下得到一定产率的纳米线材料，并具有可大面积制备，操作方便等优点。本发明制备的双晶纳米线，其两块晶体具有任意的取向关系，与通常的单晶或其他孪晶结构的纳米线相比，具有不同的力学、热学、光学和电学特性，因此在半导体光电子学，微纳电子学和高灵敏度传感器件中可有特殊的应用。 |
