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一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片

基本信息

申请号 CN202020816530.4 申请日 -
公开（公告）号 CN211789026U 公开（公告）日 2020-10-27
申请公布号 CN211789026U 申请公布日 2020-10-27
分类号 H01L29/74(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 宋锐;黄传传;吴宗杰;李运鹏;李小丽;骆建辉 申请（专利权）人 江西萨瑞微电子技术有限公司
代理机构 南昌佳诚专利事务所 代理人 江西萨瑞微电子技术有限公司
地址 330000江西省南昌市临空经济区儒乐湖399号四楼409室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于硅芯片技术领域，尤其为一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片，包括长基区，所述长基区的上表面设置有正面短基区，所述长基区的下表面设置有背面P型区，所述正面短基区的上表面设置有正面发射区，所述正面短基区的上表面设置有保护膜，所述保护膜、正面短基区和长基区设置有正面沟槽，所述正面沟槽两侧表面设置有正面钝化区，所述保护膜靠近正面发射区的表面设置有正面阴极铝电极；结合铝扩工艺与硼扩工艺的优点，利用铝扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取铝硼扩散工艺，对通隔离区与短基区可同步形成，合二为一，扩散时间为30h，极大地提高了生产效率，又可降低表面缺陷，获得良好的Veb特性。