一种单一芯片双信道保护组件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810597483.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110581057A | 公开（公告）日 | 2019-12-17 |
| 申请公布号 | CN110581057A | 申请公布日 | 2019-12-17 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）; H01L21/027（2006.01）; H01L21/78（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李运鹏; 郭小红; 陈智伟; 黄传传 | 申请（专利权）人 | 江西萨瑞微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海宣宜专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江西萨瑞微电子技术有限公司 |
| 地址 | 330114 江西省南昌市临空经济区儒乐湖399号四楼409室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，包括如下步骤：(1)将一片硅晶圆作基底，基底为P型或N型，(2)将所述硅晶圆置入扩散炉或离子布植机中，掺杂一层N型或P型杂质，(3)之后将硅晶圆置入氧化炉中，加热氧化形成另一层氧化层，(4)再将所述硅晶圆置入扩散炉掺杂继续驱入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面，(6)通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案。本发明在原硅片扩散后，芯片正反面使用二套U型槽光刻板，蚀刻U型槽以形成有效的PN节，后经钝化技术保护PN节，划开切割道后形成双通道集成芯片，成本低。 |
