一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810594567.4	申请日	-
公开（公告）号	CN110581178A	公开（公告）日	2019-12-17
申请公布号	CN110581178A	申请公布日	2019-12-17
分类号	H01L29/861（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L21/329（2006.01）	分类	基本电气元件;
发明人	李运鹏; 郭小红; 陈智伟; 黄传传	申请（专利权）人	江西萨瑞微电子技术有限公司
代理机构	上海宣宜专利代理事务所（普通合伙）	代理人	江西萨瑞微电子技术有限公司
地址	330114 江西省南昌市临空经济区儒乐湖399号四楼409室
法律状态	-

摘要

本发明涉及突波电压抑制器，特别是一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法。芯片为NPN结构，N型杂质扩散分布于P型基底正、反两面，N型杂质的电极区域覆盖有电极金属，其它区域覆盖有氧化层，芯片的厚度为170μm‑240μm。二极管突波电压抑制器芯片为双极性或单极性，双极性的正、反面电极区域均覆盖有负电极金属；单极性的正面电极区域覆盖有负电极金属，反面整体为电极区域，并覆盖有正电极金属。本发明的二极管突波电压抑制器芯片，使用电流增益控制较佳的P型原硅片，减薄至一定的厚度。原硅片双面扩散N型掺杂，补扩散控制PN结的深度以进一步控制芯片的负电阻特性，在遇到突波电压时因崩溃电压带负电阻的特性使得元件承受的功率降低，更耐高电流。