一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201811534979.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110592673B | 公开（公告）日 | 2019-12-20 |
| 申请公布号 | CN110592673B | 申请公布日 | 2019-12-20 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘春俊;姚静;彭同华;赵宁;王波;杨建 | 申请（专利权）人 | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 地址 | 102600北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5‑50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。 |
