一种高发光效率的氮化物发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201910033337.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109755362B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN109755362B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾伟 | 申请（专利权）人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330000江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高发光效率的氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层、电子阻挡层和p型氮化物层；其中：所述有源层是由若干个阱层和垒层交替堆叠而形成的多量子阱结构，所述若干个为大于2的正整数。本发明的优点在于：通过将氮化物发光二极管有源层的垒层依照不同Si掺杂浓度，分为第一垒层、第二垒层和第三垒层，在第一垒层使用较低的Si掺杂以得到低的晶体表面粗糙度，实现对阱层的平整覆盖，在第二垒层使用适中的Si掺杂以兼具高晶体质量和低电阻值，而在第三垒层使用较高的Si掺杂以得到较多的应力释放，实现氮化物发光二极管的低操作电压和高发光效率。 |
