一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法

基本信息

申请号	CN201811028387.6	申请日	-
公开（公告）号	CN110875386A	公开（公告）日	2020-03-10
申请公布号	CN110875386A	申请公布日	2020-03-10
分类号	H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335	分类	基本电气元件;
发明人	武良文	申请（专利权）人	江西兆驰半导体有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
法律状态	-

摘要

本发明公开一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层和第二势垒层，第一势垒层厚度较薄，此厚度较薄的第一势垒层无法使沟道层在界面形成高浓度二维电子气，使HEMT器件在零栅压时源、漏之间无法导通；第二势垒层为二次选区外延生长厚度较厚的势垒层，厚度较厚的第二势垒层可使下方的沟道层在界面形成高浓度二维电子气，且第二势垒层在栅极区域断开，使沟道层界面的高浓度二维电子气在栅极区域断开，实现增强型的GaN基HEMT器件的外延结构；同时，本发明中所述第二势垒层使用选区二次外延的方法生长，避免了凹槽栅和p型栅结构中刻蚀以及F离子注入造成的晶格损伤，而导致器件可靠性差等问题。