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一种紫外发光二极管外延结构层的制备方法

基本信息

申请号	CN201810765799.1	申请日	-
公开（公告）号	CN110718610B	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN110718610B	申请公布日	2021-07-30
分类号	H01L33/00（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	武良文	申请（专利权）人	江西兆驰半导体有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	330000江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
法律状态	-

摘要

本发明公开一种紫外发光二极管外延结构层的制备方法。本发明包括通过溅射镀膜的方式实现在蓝宝石基板上依次生长出的AlN缓冲层、非掺杂AlN薄膜层、n型掺杂AlN层以及通过MOCVD方式生长的有源层，和通过溅射镀膜的方式生长的p型掺杂AlN层。本发明的优点：通过物理溅射的方式生长MOCVD不易生长的高质量AlN材料并实现了n型Si掺杂和p型Mg掺杂，在此基础上，MOCVD生长更高Al含量的AlGaN有源层更易实现，让紫外发光二极管可以发出更短波长的紫外光，这些不仅简化了紫外发光二极管的外延结构设计，降低了紫外发光二极管的制备难度，还因为不用制作会吸收紫外光的p型掺杂GaN欧姆接触外延层而提高了紫外发光二极管的整体出光效率。