一种具有DBR分层结构的LED芯片专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种具有DBR分层结构的LED芯片

基本信息

申请号	CN202020781423.2	申请日	-
公开（公告）号	CN211670204U	公开（公告）日	2020-10-13
申请公布号	CN211670204U	申请公布日	2020-10-13
分类号	H01L33/10(2010.01)I	分类	-
发明人	张亚	申请（专利权）人	江西兆驰半导体有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	330000江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种具有DBR分层结构的LED芯片，包括P电极、PSS衬底、LED外延结构、CBL电流阻挡层、TCL透明导电层、N型半导体台面、N电极、DBR结构；其中：PSS衬底上生长有LED外延结构，LED外延结构上沉积有CBL电流阻挡层，LED外延结构上沉积TCL透明导电层，以MESA图层为掩模对LED外延结构进行等离子干法刻蚀（ICP），形成N型半导体台面，在TCL透明导电层、N型半导体台面上分别制作有P电极、N电极。本实用新型的优点在于：通过对LED芯片的DBR结构进行优化，将DBR结构分为接触层和交替叠层，采用不同的方法制作，改善了DBR结构接触层的反透射率和台阶披覆性，降低了常规方法制作的DBR结构所产生的LED芯片内部应力，从而提高了LED芯片的出光率和使用寿命。