一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910055991.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109817771B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN109817771B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L33/02（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾伟 | 申请（专利权）人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330000江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、具有v型缺陷的有源层、AlN量子点和p型氮化物层；其中：所述AlN量子点位于所述具有v型缺陷的有源层和所述p型氮化物层之间，所述AlN量子点至少沉积在所述具有v型缺陷的有源层的v型缺陷斜面的端点，且不沉积在所述具有v型缺陷的有源层的非v型缺陷平面。本发明的优点在于：通过在有源层的v型缺陷上沉积AlN量子点，阻挡v型缺陷造成发光二极管的漏电通道，提高氮化物发光二极管器件的可靠性。 |
