一种半导体可饱和吸收镜结构
基本信息
| 申请号 | CN201821213328.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208508231U | 公开（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申请公布号 | CN208508231U | 申请公布日 | 2019-02-15 |
| 分类号 | H01S3/098 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁崇智;黎海明;朱海波 | 申请（专利权）人 | 广东华快光子科技有限公司 |
| 代理机构 | 中山市科创专利代理有限公司 | 代理人 | 谢自安 |
| 地址 | 528400 广东省中山市火炬开发区玉泉路28号三层A区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体可饱和吸收镜结构，本案可饱和吸收体采用8个量子阱结构，便于构成8个驻波周期，而每个量子阱采用AlGaAsP应变补偿层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、AlGaAsP应变补偿层的对称设置结构，其便于使每个量子阱位于驻波的峰值位置和便于进行应变补偿，降低累积应力造成的形变，有利于提高SESAM的使用寿命，从而提高激光器寿命，降低激光器维护成本。 |
