一种多芯片并联的半桥型IGBT模块
基本信息
| 申请号 | CN202022429352.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213459734U | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN213459734U | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L25/18（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姚二现;谢龙飞;王豹子;李宇柱 | 申请（专利权）人 | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董建林 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区诚信大道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。 |
