一种沟槽型SiCMOSFET器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110726765.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488542A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488542A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王谦;刘昊;田亮;施俊 | 申请（专利权）人 | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董建林 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区诚信大道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入柱区电场调制结构，可有效舒缓沟槽底部电场分布，消除电场聚集效应，还可屏蔽栅氧内电场强度，降低栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。 |
