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一种IGBT沟槽栅排布结构

基本信息

申请号	CN202023214251.X	申请日	-
公开（公告）号	CN214012944U	公开（公告）日	2021-08-20
申请公布号	CN214012944U	申请公布日	2021-08-20
分类号	H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	叶枫叶;李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城	申请（专利权）人	南瑞联研半导体有限责任公司
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	董建林
地址	211100江苏省南京市江宁区诚信大道19号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P接触区、P型阱区和N型CS层，P接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N发射区、P型阱区和N型CS层，N发射区位于介质层一侧；每个P接触区和每个N发射区分别通过设置在介质层上的与P接触区和N发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。