一种大功率半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110280013.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113140617A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113140617A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田亮;施俊;刘昊;邱凯兵 | 申请（专利权）人 | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邵斌 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区诚信大道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。 |
