一种使晶片变薄的加工方法
基本信息
| 申请号 | CN201510480359.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105097480A | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 申请公布号 | CN105097480A | 申请公布日 | 2015-11-25 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 施勇 | 申请（专利权）人 | 海门市明阳实业有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226141 江苏省南通市海门市四甲镇人民路438号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种使晶片变薄的加工方法，该方法包括：提供晶片；利用黏着层将所述晶片的正面接合于承载晶片上，所述黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带；以及进行晶片薄化工艺，由所述晶片的背面薄化所述晶片；所述晶片薄化工艺包括等离子体蚀刻工艺和/或研磨抛光工艺和/或化学蚀刻工艺。本发明利用热释放胶带或紫外线胶带接合晶片与承载晶片，可有效保护晶片正面的元件并解决晶片薄化后不易固定传输的问题；薄化后的晶片在不需去除热释放胶带或紫外线胶带的情况下即可进行后续工艺，可避免晶片受损；晶片薄化工艺可依据规格需求加以调整，并可有效解决应力问题；热释放胶带或紫外线胶带具有易分离特点，可避免晶片破裂。 |
