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一种热补偿光波复用与解复用芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201811108207.5 申请日 -
公开（公告）号 CN109387902B 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN109387902B 申请公布日 2021-06-04
分类号 G02B6/12 分类 光学;
发明人 郑煜;吴雄辉;郜飘飘;段吉安 申请（专利权）人 苏州亿波达光电子科技有限公司
代理机构 北京旭路知识产权代理有限公司 代理人 瞿卫军
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及光波分复用技术领域，尤其涉及一种热补偿光波复用与解复用芯片及其制备方法。本发明的热补偿光波复用与解复用芯片包括输入阵列波导、输入星形耦合器、阵列波导、输出星形耦合器和输出阵列波导，在输入星形耦合器上设置有热补偿结构即采用半导体工艺刻蚀加工出沟槽光栅，以及在沟槽光栅里填充有负热膨胀系数硅胶，本发明的热补偿光波复用与解复用芯片及其制备方法通过在输入星形耦合器处刻蚀光栅结构，并填充负折射率材料，可实现温度漂移补偿，具有无需应力控制、无需破片处理，具有集成制造容易，结构紧凑、低传输损耗、插损均匀、偏振相关损耗小等优点。