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多通道相控阵系统通道间的参数校准方法

基本信息

申请号 CN201910249712.X 申请日 -
公开（公告）号 CN109787693B 公开（公告）日 2021-03-30
申请公布号 CN109787693B 申请公布日 2021-03-30
分类号 H04B17/21(2015.01)I;H04B17/11(2015.01)I;H04B17/12(2015.01)I 分类 电通信技术;
发明人 章策珉 申请（专利权）人 成都仕芯半导体有限公司
代理机构 成都行之专利代理事务所（普通合伙） 代理人 刘沙粒
地址 610000四川省成都市高新区西芯大道5号6幢1层2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了多通道相控阵系统通道间的参数校准方法，包括基准通道校准步骤和待校准通道校准步骤，基准通道校准步骤：选择任一路通道作为基准通道，对基准通道做全状态校准并生成全状态控制数据S(A)，存储所述全状态控制数据S(A)；所述述待校准通道校准步骤中，校准的参数值为相移量或者衰减量，当校准相移量时衰减量不变，当校准衰减量时相移量不变，所述待校准通道校准步骤包括至少一个指定参数组下的校准。相较于现有校准方法，不仅大幅缩短了校准时间、大幅减少了数据存储量，同时显著地提高了校准精度，能够精确、快速地完成上万个通道的参数一致性校准，具有广泛的推广价值。