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一种低温宽频带低噪声放大器

基本信息

申请号 CN201410735258.6 申请日 -
公开（公告）号 CN104467691A 公开（公告）日 2015-03-25
申请公布号 CN104467691A 申请公布日 2015-03-25
分类号 H03F1/26(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 郭国平;郑智雄;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿 申请（专利权）人 安徽省中安科技小额贷款股份有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 中国科学技术大学;合肥本源量子计算科技有限责任公司
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低温宽频带低噪声放大器，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。通过采用本发明公开的放大器，不仅可以保证在低温环境下稳定工作，而且在3.5—8GHZ的宽频带内，放大器能达到25dB的增益，同时增益平坦度小于2dB，并且保证放大器的噪声和回波损耗在宽频带内足够低。