一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201980032816.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112513342A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112513342A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 唐慧丽;徐军;赵衡煜;何诺天;李东振;王东海 | 申请（专利权）人 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京中律知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈振涛 |
| 地址 | 210000江苏省南京市溧水区东屏镇金港路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法，包括以下步骤：放置β‑Ga2O3籽晶，堆积高纯Ga2O3形成原料堆；启动高频感应发生器电源，将两根石墨棒插入原料堆中；升高石墨棒的加热功率至石墨棒之间产生电火花，石墨棒起燃使周围的高纯Ga2O3圆球状原料熔融，形成熔体；熔体在高频感应线圈的作用下持续发热，向熔体中投入高纯Ga2O3圆球状原料，使充分熔化，熔体体积进一步扩大，直至籽晶与熔体充分熔接；将水冷铜管坩埚逐渐下降，晶体自籽晶处逐步向上结晶生长；降温退火。该方法工艺简单，大幅降低长晶成本；采用常压空气气氛生长晶体，有效解决了生长过程中的分解挥发问题，同时降低了对设备的耐压要求。 |
