一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法
基本信息
| 申请号 | PCT/CN2019/110321 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | WO2021068153A1 | 公开（公告）日 | 2021-04-15 |
| 申请公布号 | WO2021068153A1 | 申请公布日 | 2021-04-15 |
| 分类号 | C30B15/36;C30B29/16 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | TANG, HUILI;唐慧丽;XU, JUN;徐军;ZHAO, HENGYU;赵衡煜;HE, NUOTIAN;何诺天;LI, DONGZHEN;李东振;WANG, DONGHAI;王东海 | 申请（专利权）人 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | NANJING ZHONGLV INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY FRIM (GENERAL PARTNERSHIP);南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 地址 | Wang Donghai,No.22, Jingang Road, Dongping Town, Lishui District, Nanjing, CN,Nanjing, Jiangsu 211211 CN | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法，包括以下步骤：放置β-Ga 2O 3籽晶，堆积高纯Ga 2O 3形成原料堆；启动高频感应发生器电源，将两根石墨棒插入原料堆中；升高石墨棒的加热功率至石墨棒之间产生电火花，石墨棒起燃使周围的高纯Ga 2O 3圆球状原料熔融，形成熔体；熔体在高频感应线圈的作用下持续发热，向熔体中投入高纯Ga 2O 3圆球状原料，使充分熔化，熔体体积进一步扩大，直至籽晶与熔体充分熔接；将水冷铜管坩埚逐渐下降，晶体自籽晶处逐步向上结晶生长；降温退火。该方法工艺简单，大幅降低长晶成本；采用常压空气气氛生长晶体，有效解决了生长过程中的分解挥发问题，同时降低了对设备的耐压要求。 |
