一种稀土离子倍半氧化物晶体的冷坩埚生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201980033109.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112513343A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112513343A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐军;赵衡煜;徐晓东;李东振;王东海 | 申请（专利权）人 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京中律知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈振涛 |
| 地址 | 210000江苏省南京市溧水区东屏镇金港路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种稀土离子倍半氧化物晶体的冷坩埚生长方法，包括以下步骤：原料堆积：在冷水坩埚底部放置籽晶；在冷水坩埚中堆积圆球状原料，使冷水坩埚中形成原料堆；将引燃物置于原料堆中心；加热原料：利用感应线圈加热引燃物，从而加热引燃物周围原料，形成熔体；熔体在感应线圈的作用下持续发热，熔体体积进一步扩大直至原料形成熔体；晶体生长：向熔体中投入圆球状原料，保持高频场的频率恒定，控制高频场的功率，使晶体向上生长。该方法通过不断冷却坩埚使接触坩埚的原料形成壳层，巧妙的将熔体与坩埚隔离开来，避免了高温熔体对坩埚的腐蚀，可用于熔点大于2400℃的稀土离子倍半氧化物的生长。 |
