一种晶体生长用坩埚
基本信息
| 申请号 | CN201521097632.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205241850U | 公开（公告）日 | 2016-05-18 |
| 申请公布号 | CN205241850U | 申请公布日 | 2016-05-18 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李涛;柳井忠;黄小卫;柳祝平 | 申请（专利权）人 | 石河子市鑫磊光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘洪京 |
| 地址 | 832000 新疆维吾尔自治区石河子市开发区东七路与北九路交汇口 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型所公开的晶体生长用坩埚，通过埚体与埚口环套结合，有效防止坩埚在不断高温熔炼过程中变形从而引起埚口出现裂纹或损坏了埚口温度梯度导致晶体放肩时长角、提前粘埚的问题，提高了晶体质量。同时分离式埚口环套一旦发生变形，可独立更换，能有效延长坩埚的使用寿命从而大大降低晶体单位生产成本；另外，埚体内壁与埚体外壁、埚底与埚壁形成的独特的角度不仅有利于在结晶前得到均匀的温度梯度和稳定的生长速率，还能更轻松控制晶体不粘坩埚或减低等径时晶体与坩埚粘附的面积，从而减少粘埚生长产生的应力过大和晶体寄生坩埚生长易产生位错的品质现象，比传统结构坩埚生长的晶体应力交错少、品质更优异。 |
