半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201410799294.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104716044B | 公开（公告）日 | 2018-09-18 |
| 申请公布号 | CN104716044B | 申请公布日 | 2018-09-18 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨彦涛;陈文伟;李云飞;陶玉美;王伟 | 申请（专利权）人 | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 地址 | 610404 四川省成都市金堂县成都—阿坝工业集中发展区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在具有特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的乳胶掺杂源进行涂布、烘烤以及扩散工艺，所述乳胶掺杂源填满所述沟槽并覆盖修复氧化层表面，同时在所述沟槽周围的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺，使沟槽内部填充没有缺陷，降低了对沟槽刻蚀工艺的要求，保证器件的高压性能和可靠性要求。 |
