一种恒流二极管结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201610082486.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105551969B | 公开（公告）日 | 2018-12-11 |
| 申请公布号 | CN105551969B | 申请公布日 | 2018-12-11 |
| 分类号 | H01L21/337;H01L29/808 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王英杰 | 申请（专利权）人 | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 地址 | 610404 四川省成都市金堂县成都-阿坝工业集中发展区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在N型外延层中增设P型发射区，N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管，P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管，由此，单位面积电流大幅提高，并且器件的温度稳定性和均匀性较好。 |
