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沟槽器件的制作方法

基本信息

申请号 CN201410628678.4 申请日 -
公开（公告）号 CN104409349B 公开（公告）日 2018-06-26
申请公布号 CN104409349B 申请公布日 2018-06-26
分类号 H01L21/336;H01L21/66;H01L21/306 分类 基本电气元件;
发明人 杨彦涛;杨富宝;赵金波;王珏;汤光洪 申请（专利权）人 成都士兰半导体制造有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 成都士兰半导体制造有限公司
地址 610404 四川省成都市金堂县成都—阿坝工业集中发展区内
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种沟槽器件的制作方法，进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的顶面齐平为止，然后测量半导体衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据半导体衬底上方的阻止层的实际厚度刻蚀沟槽内的外延层，直至使外延层与半导体衬底顶面齐平，该方法既可以去除高于半导体衬底顶面的外延层又不会损伤到零层光刻标记，如此，即可保证不会影响光刻对位，又可避免外延层相对于半导体衬底存在凸起使后道的栅氧、多晶工艺等形成台阶，有利于提高器件的耐压等性能。