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恒流二极管结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN201610082313.5 申请日 -
公开（公告）号 CN105609569B 公开（公告）日 2018-12-11
申请公布号 CN105609569B 申请公布日 2018-12-11
分类号 H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 王英杰 申请（专利权）人 成都士兰半导体制造有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 成都士兰半导体制造有限公司
地址 610404 四川省成都市金堂县成都-阿坝工业集中发展区内
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在P型衬底正面上形成P型外延层，在P型外延层中形成N型基区，在N型基区中形成P型栅极区、N型源区、N型漏区、P型发射区，并形成包围N型基区的P型隔离。本发明通过在P型外延层中增设P型发射区，所述P型衬底、P型外延层、N型基区和P型发射区组成PNP三极管，所述N型源区、P型栅极区、N型基区、N型漏区组成恒流二极管，使得其单位面积电流大幅提高，器件的温度稳定性和均匀性较好。并且，所述恒流二极管结构增加了P型外延层，有利于提高其耐压性能。