一种半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201410799354.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104599972B | 公开（公告）日 | 2018-08-14 |
| 申请公布号 | CN104599972B | 申请公布日 | 2018-08-14 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨彦涛;赵金波;江宇雷;陈文伟;杨雪 | 申请（专利权）人 | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 地址 | 610404 四川省成都市金堂县成都—阿坝工业集中发展区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散，所述液态掺杂源覆盖阻挡层表面，并在沟槽周围的半导体衬底中形成与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺，降低了工艺难度。另外，本发明在形成掺杂区后，采用填充性较佳的介质材料进行沟槽填充，有利于形成没有缝隙或空洞的填充层，使沟槽内部填充没有缺陷，降低了对沟槽刻蚀工艺的要求，保证器件的高压性能和可靠性要求。 |
