一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210287351.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664935A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664935A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L29/417（2006.01）I;H01L27/085（2006.01）I;H01L21/8232（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇;许建华 | 申请（专利权）人 | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层（深装总大厦A座3楼318-320） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的功能层，在功能层顶面设置有源极结构、漏极结构和鱼骨栅结构，源极结构和漏极结构用于配合鱼骨栅结构形成多个晶体管器件；在衬底底面开设有从衬底底面贯穿至功能层顶面的源孔；源极结构包括第一子电极和覆盖源孔位于功能层顶面开孔的第二子电极，第一子电极通过连接桥与第二子电极电性连接。如此，通过取消第一子电极上的源孔，使得第一子电极的宽度可以进行减小，从而减少整个源极结构的占用面积，使得整个器件能够有效降低面积和制造成本，而第一子电极的引出可以由连接桥连接至第二子电极，由第二子电极覆盖的源孔对应引出至衬底底面。 |
