一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210659098.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114759080A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114759080A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴俊峰 | 申请（专利权）人 | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层（深装总大厦A座3楼318-320） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，栅极金属与第一P型轻掺杂层形成肖特基接触，由于第一P型轻掺杂层的掺杂浓度较低，可以提高栅极正向耐压的同时降低栅极漏电流。并且借助P型重掺杂层的较高掺杂浓度对能带进行调整降低栅极下方沟道处的二维电子气浓度，扩大栅下的耗尽区，从而缓解栅下的电场峰值，提高器件的耐压。通过第一P型轻掺杂层的延伸部至少覆盖P型重掺杂层的侧面，可以借助延伸部对栅极侧面的电场进行有效调制，从而降低栅极侧面的电场强度或电场峰值，有助于提高器件的耐压。 |
