一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110718604.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436974A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436974A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨天应;刘丽娟;刘石头 | 申请（专利权）人 | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔熠 |
| 地址 | 518000广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻前海商务秘书有限公司） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：去除漂移层上的导电沟道形成无源结构；在无源结构的漂移层上形成第一源极金属和第一漏极金属；第一栅极金属位于第一源极金属和第一漏极金属之间；在第一栅极金属上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成源场板，由于第一开路测试结构与实际器件结构高度相似，其区别仅在于通过微电子或半导体制备工艺将导电沟道去除，使得第一开路测试结构形成无栅控功能的无源测试结构，如此，在配合现有开路去嵌入结构时，能够完全去除Cpg和Cpd，包括Cpg1、Cpg2、Cpg3以及Cpd1和Cpd2，因此，能够有效提高模型精度，避免后期需要花费大量时间对参数进行拟合。 |
