一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210659128.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744024A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744024A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴俊峰 | 申请（专利权）人 | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层（深装总大厦A座3楼318-320） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法通过去除漏极金属和背面金属之间的衬底，并在去除衬底的区域填充具有较低介电常数的第一介质层，从而有效降低漏极金属和背面金属之间所产生的源漏寄生电容Cds。同时，本申请通过将形成具有较低介电常数的第一介质层的工艺与原本形成源极通孔的工艺进行融合，有效简化工艺步骤，并且在半导体器件为GaN器件时，鉴于GaN器件的特性，通常衬底的厚度较厚，因此，在第一介质层设置于衬底上时，能够在漏极金属和背面金属之间填充更多的低介电常数的材料，有助于更好的降低漏极金属和背面金属之间所产生的源漏寄生电容Cds。 |
