半导体器件和半导体器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210321329.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114420657B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114420657B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许建华;乐伶聪;杨天应 | 申请（专利权）人 | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨勋 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层（深装总大厦A座3楼318-320） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、源极金属、漏极金属和栅极金属，将源极金属、漏极金属和栅极金属间隔分布在电极分布区内，且栅极金属设置在源极金属和漏极金属之间的沟道区域，同时沟道区域的中部设置有第一隔离区，第一隔离区对应的半导体层为具有绝缘特性的第一绝缘层，从而使得第一隔离区内形成了第一无源散热区。在器件运行时，由于设置有第一隔离区，第一隔离区内为绝缘特性，故第一隔离区内不会因为电流经过而产生热量累计，并且第一隔离区位于沟道区域的中部，能够降低器件中心区域的热累计，降低整个器件的热量集中度，改善器件的热分布。 |
