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由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器

基本信息

申请号 CN200820222684.X 申请日 -
公开（公告）号 CN201383764Y 公开（公告）日 2010-01-13
申请公布号 CN201383764Y 申请公布日 2010-01-13
分类号 H02M7/5387(2007.01)I 分类 发电、变电或配电;
发明人 刘大椿;胡岩长;段志华;杨操;刘洪 申请（专利权）人 西安尤奈特电机控制技术有限公司
代理机构 西安新思维专利商标事务所有限公司 代理人 李罡
地址 710077陕西省西安市高新区锦业一路72号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器。在低占空比作PWM模式工作时，续流损耗比导通损耗加开关损耗之和高出一个数量级，为了解决这个问题，传统的方法是：在非调制侧增加功率MSOFET数量，以减小每个续流二极管中续流电流平均值来降低续流损耗；或者在非调制侧并联导通压降小的肖特基二极管来降低续流损耗，这样既增加了成本，又对降低损耗的效果也不甚明显。本实用新型利用功率MOSFET在导通时允许双方电流通过的特点，在单边PWM模式时，其同桥臂另一侧的功率MOSFET做/PWM工作，使续流电流流过功率MOSFET。因而本实用新型既不增加成本，又降低了续流损耗、提高了逆变器效率。