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复合加热防辐射式直拉多或单晶硅制备工艺

基本信息

申请号 CN201210204935.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102817069A 公开（公告）日 2012-12-12
申请公布号 CN102817069A 申请公布日 2012-12-12
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 林游辉 申请（专利权）人 合肥景坤新能源有限公司
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人 合肥景坤新能源有限公司
地址 231600 安徽省合肥市肥东县新城开发区荷花路13号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了复合加热防辐射式直拉多或单晶硅制备工艺，包括有以下步骤：a)、加料：将多或单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质种类有硼、磷、氮；b)、融化：加完多或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1420℃以上，将多或单晶硅原料熔化，化料时上加热器、下加热器同时工作，化料结束后降低下加热器功率，以上加热器为主加热器进行生长；使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长，减小了传统热场顶部与底部的温差；加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。