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防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺

基本信息

申请号 CN201210204934.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102817071A 公开（公告）日 2012-12-12
申请公布号 CN102817071A 申请公布日 2012-12-12
分类号 C30B15/22(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B28/10(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 林游辉 申请（专利权）人 合肥景坤新能源有限公司
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人 合肥景坤新能源有限公司
地址 231600 安徽省合肥市肥东县新城开发区荷花路13号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺，包括以下步骤：?a)融化：加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1570℃，将多或单晶硅原料熔化；?b)放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得硅单晶的直径渐渐增大到所需的大小，围绕于硅单晶棒外设有热屏，由于热屏减弱了加热器对晶体的热辐射，同时也减弱了对固-液界面热辐射力度，在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度。同时采用热屏后，加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。