LCOS像素单元器件结构
基本信息
| 申请号 | CN200820074046.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201167094Y | 公开（公告）日 | 2008-12-17 |
| 申请公布号 | CN201167094Y | 申请公布日 | 2008-12-17 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范义;代永平;范伟 | 申请（专利权）人 | 天津力伟创科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人 | 天津力伟创科技有限公司;深圳市长江力伟股份有限公司 |
| 地址 | 300384天津市华苑产业园区华天道2号火炬大厦5031室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种LCOS像素单元器件结构，属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域，特别是涉及一种硅基液晶显示器像素单元器件结构领域。新的LCOS像素单元器件结构设置在P型硅衬底上，具有N型阱(4)、PMOS管的栅极(3)、PMOS管的漏极(2)、PMOS管的源极(6)、PMOS管的背电极(1)、NMOS管的栅极(11)、NMOS管的漏极(9)、NMOS管的源极(6)、NMOS管的背电极(15)、电容器的上电极(24)、电容器的下电极(22)，并包括第1层绝缘层覆(16)盖在P型硅衬底之上(13)、第2层绝缘层(18)放置在第1层绝缘层(16)之上、第3层绝缘层(19)放置在第2层绝缘层(18)之上、电容器的绝缘层(23)放置在第3层绝缘层(19)之上，电容器的绝缘层(23)厚度是50纳米～100纳米。本项专利降低了像素输入数据的损耗，提高了像素存贮电容器的单位电容值。 |
