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LCOS芯片像素器件结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN200810053147.1 申请日 -
公开（公告）号 CN101281333A 公开（公告）日 2008-10-08
申请公布号 CN101281333A 申请公布日 2008-10-08
分类号 G02F1/1362(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L23/522(2006.01) 分类 光学;
发明人 范义;代永平;范伟 申请（专利权）人 天津力伟创科技有限公司
代理机构 天津市杰盈专利代理有限公司 代理人 天津力伟创科技有限公司;深圳市长江力伟股份有限公司
地址 300384天津市华苑产业园区华天道2号火炬大厦5031室
法律状态 -

摘要

摘要 LCOS芯片像素器件结构，在一块P型硅衬底上分别按照行与列平行排布若干个像素单元，每行或每列的像素单元包括一由p+－i－P电容器的上极板、薄膜绝缘层、p+－i－P电容器的下极板共同构成的p+－i－P电容器和一NMOS管，所述NMOS管中的NMOS管的漏极与p+－i－P电容器的上极板相连接，每行像素单元中NMOS管的栅极分别向两边延伸直至与左、右两个相邻像素单元中的NMOS管的栅极相连形成一条扫描线，且每行像素单元中的扫描线由一条矩形N型掺杂多晶硅构成；每列像素单元中设置一条信号线，且每列像素单元中NMOS管的源极连接到信号线，并包括所述信号线垂直于所述扫描线。