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适于单层多晶硅CMOS工艺的LCOS像素单元结构

基本信息

申请号 CN200820074772.X 申请日 -
公开（公告）号 CN201196721Y 公开（公告）日 2009-02-18
申请公布号 CN201196721Y 申请公布日 2009-02-18
分类号 G02F1/136(2006.01);G02F1/1362(2006.01);H01L27/105(2006.01) 分类 光学;
发明人 范义;代永平;范伟 申请（专利权）人 天津力伟创科技有限公司
代理机构 天津市杰盈专利代理有限公司 代理人 天津力伟创科技有限公司;深圳市长江力伟股份有限公司
地址 300384天津市华苑产业园区华天道2号火炬大厦5031室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种硅基液晶显示器像素单元器件结构领域。适于单层多晶硅CMOS工艺的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，包括一个N型沟道金属氧化物半导体(NMOS)管和一个p+型掺杂层－绝缘层－多晶硅(p+－i－P)电容器；所述的NMOS管和p+－i－P电容器置于P型硅衬底上，P型硅衬底之上覆盖第1层绝缘层，第2层绝缘层设置在第1层绝缘层之上，第3层绝缘层设置在第2层绝缘层之上，像素电极设置在第3层绝缘层之上。本实用新型可以实现采用低成本的单层多晶硅CMOS半导体工艺制备LCOS芯片，还能够消除常规MOS电容器存在的阈值干扰现象。