一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场及单晶炉
基本信息
| 申请号 | CN202011470743.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112626609B | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN112626609B | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 潘清跃;秦英谡;郑锴;穆童 | 申请（专利权）人 | 南京晶能半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 210046江苏省南京市经济技术开发区兴智路6号兴智科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场及单晶炉，该热场中的保温筒内设有不同材质的填充块，达到改变硅熔液下部温度的目的，实现控制硅熔体热对流的效果。以降低硅熔体受热对流的影响，以提高晶体长晶的质量均匀性和稳定性。 |
