一种对半导体硅材料晶体长晶放肩形状的控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202010717177.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112064109A | 公开（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申请公布号 | CN112064109A | 申请公布日 | 2020-12-11 |
| 分类号 | C30B15/22(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 吴春生;郑锴;穆童;王程平 | 申请（专利权）人 | 南京晶能半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张弛 |
| 地址 | 210046江苏省南京市经济技术开发区兴智路6号兴智科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种对半导体硅材料晶体长晶放肩形状的控制方法，通过在放肩阶段增加一项斜率‑SLOP控制，并伴有直径‑拉速和拉速‑温度两个闭环控制体系，完成对放肩阶段晶体形状一致性的控制，可以生长出与配方中的斜率设置相同的晶体。由于放肩过程的严格控制，晶体进入等径后的温度环境更加稳定可控，便于生长出高品质的半导体单晶棒。 |
