基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池
基本信息
| 申请号 | CN200910183866.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101621085B | 公开（公告）日 | 2012-05-23 |
| 申请公布号 | CN101621085B | 申请公布日 | 2012-05-23 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴坚;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人 | 阿特斯新能源控股有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司;阿特斯光伏电子（常熟）有限公司;阿特斯太阳能光电（苏州）有限公司;阿特斯光伏科技（苏州）有限公司 |
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、N型黄铜矿半导体薄膜、P型晶体硅、P+背表面场和背金属电极，形成NPP+的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应，尤其是在紫外和可见光波段，从而可以提升短路电流；且在正面可形成梯度带隙，类似于多结的堆叠效应，大幅度地提升开路电压和填充因子；最终得到的太阳电池的转化效率在19％以上。 |
